SN-HF04 高純度溶融シリカ粉末

SiO₂ 99.96% · D50 3.8µm — 半導体・電子素材用 超高純度微粉溶融シリカ (SN-HF04)

SN-HF04は選別された高純度石英を約2,000℃で全溶融(Fused)し、精密微粉砕・多段分級を経て製造される超高純度非晶質(Amorphous)溶融シリカ粉末です。SiO₂純度は代表値99.96%(規格≥99.95%)、Fe₂O₃約12ppmの極低鉄分、Al₂O₃100ppm以下、そしてD10 1.6µm / D50 3.8µm / D90 6.6µmの狭く均一な微粉粒度分布を特徴とします。極めて低い熱膨張係数(約0.5×10⁻⁶/℃)、低誘電率・低誘電損失、優れた化学的安定性により、半導体EMC・アンダーフィル・封止材・先端パッケージ(FO-WLP・FC-BGA)・CCL/PCBプリプレグ・5G/高周波基板・放熱シリコーン・LED/OLED封止・精密セラミックス・石英ガラス原料など、最高水準の信頼性と純度が要求される先端電子・光学・エネルギー素材に最適化されたプレミアムフィラーです。

主な特長

  • 🧪 超高純度SiO₂ 99.96% — 規格≥99.95%、代表値99.96% — 半導体グレードの純度
  • 🧼 極低金属不純物 — Fe₂O₃ ~12 ppm · Al₂O₃ ~100 ppm — ソフトエラー・歩留低下要因を最小化
  • 🔬 100%非晶質溶融構造 — 完全非晶質 · 低熱膨張(~0.5×10⁻⁶/℃) · 熱衝撃耐性に優れる
  • 📐 精密な微粉粒度 — D10 1.6 / D50 3.8 / D90 6.6 µm — 狭く均一なPSDで高充填・低粘度
  • ⚡ 低誘電・高絶縁 — 低Dk/Dfと優れた絶縁特性で5G・高周波基板に最適
  • 🛡️ 優れた化学安定性 — HFを除くほとんどの酸・アルカリ・溶剤に耐食性
  • 💧 低水分管理 — Moisture ≤ 0.2% (代表0.13%) — 成形・硬化時の気泡・クラックを抑制
  • 🔧 カスタム粒度対応 — 顧客の工程に応じてD50および分布のカスタマイズ可能

技術仕様

項目値
製品コードSN-HF04
外観白色微粉末
形状非晶質 溶融 (Amorphous Fused)
SiO₂ (純度)≥ 99.95 % (代表 99.96 %)
Al₂O₃約100 ppm
Fe₂O₃約12 ppm
水分 (Moisture)≤ 0.2 % (代表 0.13 %)
粒度 D101.6 µm
粒度 D503.8 µm (規格 4 ± 1 µm)
粒度 D906.6 µm
熱膨張係数 (CTE)約 0.5 ×10⁻⁶ /℃
モース硬度約 7
真密度約 2.2 g/cm³
PH5 ~ 8
特性低Na⁺・Cl⁻・E/C · 低熱膨張 · 低誘電 · 高絶縁
包装10 / 20 kg 紙袋 · OEM対応
備考粒度分布は顧客要求に応じて調整可能
原産地中国

主な用途

半導体EMC(封止材) · アンダーフィル・封止材 · 先端パッケージング · CCL / PCB基板 · 高熱伝導材料

上位カテゴリ: シリカパウダー・粒

粒度・純度・表面処理・梱包などお客様の仕様に合わせたカスタム生産・供給が可能です。サンプル・TDS・お見積りはお問い合わせください。