SiO₂ ≥99.995% · 球状化率 ≥99% · U/Th <0.1 ppb — 粒径20 nm~2 µmカスタム生産の化学合成球状シリカ
合成球状シリカは化学合成法で製造された二酸化ケイ素(SiO₂)粒子で、粒径の揃った完全球状の形態を持ちます。SiO₂純度99.995%以上、球状化率・球形度はそれぞれ99.0%以上で管理され、ウラン(U)・トリウム(Th)がそれぞれ0.1 ppb未満の超低放射線素材です。電気伝導率は1.0 µS/cm未満とイオン性不純物が極めて少なく、半導体パッケージなど信頼性が重視される電子材料に適しています。粒径(D50)は20 nmから2 µmまでお客様の要求に合わせて生産し、アミノ基・メルカプト基などの表面改質や接触角150°以上の疎水化処理も可能です。またご要望に応じて電子グレードシリカゾル(6N級)として水系およびカスタム溶剤系での供給が可能で、CMP研磨・塗料・樹脂ハイブリッドなど幅広い分野に使用されます。
主な特長
- 🔵 完全球状 · 球状化率 ≥99.0% — 球形度・球状化率ともに99.0%以上 — 凝集なく均一に分散する球状粒子
- 🧪 超高純度 SiO₂ ≥99.995% — 高純度精製前駆体から化学合成 — 金属不純物を原料段階から遮断
- ☢️ 超低放射線 U・Th <0.1 ppb — 天然鉱石由来の放射性元素がほぼなく、HBM・AI半導体のソフトエラー抑制に有利
- 📐 粒径20 nm~2 µmカスタム生産 — ナノからサブミクロンまでご希望のD50で粒径を設計・供給
- ⚡ 電気伝導率 <1.0 µS/cm — イオン性不純物が極めて少なく、腐食・イオンマイグレーションのリスクを低減
- ⚗️ 表面改質・疎水化処理 — アミノ基・メルカプト基改質が可能、疎水化処理で接触角150°以上
技術仕様
| 項目 | 値 | 備考 |
|---|---|---|
| 製造工法 | 化学合成 | |
| 形状 | 球状 (Spherical) | |
| SiO₂純度 | ≥ 99.995 % | 超高純度 |
| 球状化率 | ≥ 99.0 % | |
| 球形度 | ≥ 99.0 % | |
| 粒径 (D50) | 20 nm ~ 2 µm | カスタム生産 |
| 電気伝導率 | < 1.0 µS/cm | |
| 放射性元素 | U < 0.1 ppb · Th < 0.1 ppb | 超低放射線 |
| 表面改質 | アミノ基・メルカプト基改質 / 疎水化 (接触角 ≥150°) | |
| シリカゾル供給 | 電子グレード6N級 · 水系 / カスタム溶剤系 | |
| 原産地 | 中国 |
主な用途
先端パッケージング
上位カテゴリ: 化学合成シリカ
粒度・純度・表面処理・梱包などお客様の仕様に合わせたカスタム生産・供給が可能です。サンプル・TDS・お見積りはお問い合わせください。